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  Diodes Inc MMBT39x车用晶体管  发布时间:2019-08-17
摘要: 互补的NPN和PNP晶体管系列,符合AEC-Q101标准,具有高可靠性
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  AOS AON7804系列N沟道MOSFET  发布时间:2019-07-22
摘要: 提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
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摘要: ESD 保护典型值达 800V,且 RDS(on) 在 10V VGS 时仅 0.15Ω ,在 4.5V 时仅 0.20Ω
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摘要: 采用TrenchStop?和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
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  Diodes 集成功率MOSFET  发布时间:2019-05-13
摘要: 采用新型N和P通道器件,击穿电压高达450V
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  AOS-AOD409 60V P-Channel MOSFET  发布时间:2019-03-13
摘要: 60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
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摘要: Infineon Technologies TRENCHSTOP? RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
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  ROHM N沟道SiC功率MOSFET  发布时间:2018-10-10
摘要: ROHM N沟道SiC功率MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保电容和栅极电荷较低,开关速度快,导通损耗小。
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摘要: 具有非常低的电容,可用于HDMI、USB 3.0 或 Thunderbolt 之类的高速数据端口
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  LRC静电防护二极管-LESD9D3.3 CT5G  发布时间:2018-09-30
摘要: LESD9D3.3 CT5G是设计用来保护受ESD产生电压和瞬变电压的敏感元件。良好的低钳位电压,低泄漏电流,以及快速响应时间。
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  VISHAY功率MOSFET&超快恢复整流管  发布时间:2018-09-03
摘要: 适用于逆变器、转换器、电源管理等应用环境
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摘要: VISHAY ESD保护二极管拥有极低的负载电容和非常低的漏电流
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摘要: Littelfuse新型单向瞬态抑制二极管阵列说明&瞬态抑制二极管单、双向工作原理(含简图说明)
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摘要: SiC-SBD的特征以及与Si二极管的对比&SIC-SBD部分产品参数列表
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